問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】根據(jù)氧化物的生長(zhǎng)規(guī)律，試說(shuō)明熱氧化生長(zhǎng)過(guò)程中的兩個(gè)主要階段，并說(shuō)明它們分別位于氧化生長(zhǎng)過(guò)程中的哪一時(shí)段，各自的生長(zhǎng)模型和規(guī)律以及反映生長(zhǎng)速率的參數(shù)和影響該參數(shù)的主要因素是什么？

答案： 分為線性氧化階段和拋物線氧化階段，他們分別位于氧化硅生長(zhǎng)的初始階段或氧化層足夠薄時(shí)和氧化一段時(shí)間后的氧化硅生長(zhǎng)的第二階段...
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【簡(jiǎn)答題】試說(shuō)明氧化生長(zhǎng)速率的基本定義及其物理含義，并說(shuō)明影響氧化生長(zhǎng)速率的主要工藝參數(shù)，及他們對(duì)生長(zhǎng)速率的主要影響。
答案： 氧化生長(zhǎng)速率是用于描述氧化物在硅片上生長(zhǎng)的快慢。當(dāng)氧化劑的量足夠時(shí)，SiO2生長(zhǎng)的快慢最終由氧化劑...
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