問答題

【簡答題】CMOS工藝中為什么要形成側(cè)墻？在哪一個工藝環(huán)節(jié)形成及為什么？并說明其形成步驟及主要作用。

答案： 步驟：
1）淀積二氧化硅
2）二氧化硅反刻
作用：用來環(huán)繞多晶硅柵，作為n+和p+源漏注入...
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問答題

【簡答題】什么是阱？CMOS工藝中阱的作用是什么？試說明CMOS雙阱工藝中的阱是如何形成的？
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答案： LDD技術(shù)（輕摻雜漏注入技術(shù)）結(jié)構(gòu)：在溝道的漏端及源端增加低摻雜區(qū)。LDD使用的較大質(zhì)量的摻雜材料使硅片的上表面成為非晶...
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