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問答題

【案例分析題】
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS反相器，
NMOS：V_TN=0.6V μ_NCOX=60uA/V²
PMOS：V_TP=-0.7V μ_PCOX=25uA/V²
電源電壓為3.3V，L_N=L_P=0.8um
此CMOS反相器制作工藝允許V_TN、V_TP的值在標(biāo)稱值有正負(fù)15%的變化，假定其他參數(shù)仍為標(biāo)稱值，求V_M的上下限。

答案：

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【【案例分析題】】
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS反相器，
NMOS：V_TN=0.6V μ_NCOX=60uA/V²
PMOS：V_TP=-0.7V μ_PCOX=25uA/V²
電源電壓為3.3V，L_N=L_P=0.8um
此CMOS反相器制作工藝允許V_TN、V_TP的值在標(biāo)稱值有正負(fù)15%的變化，假定其他參數(shù)仍為標(biāo)稱值，求V_M的上下限。

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