問答題

【計算題】把一種復合中心雜質(zhì)摻入本征硅內(nèi)，如果它的能級位置在禁帶中央，試證明小注入時的壽命τ=τn+τp。

答案：

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【計算題】在一塊p型半導體中，有一種復合-產(chǎn)生中心，小注入時，被這些中心俘獲的電子發(fā)射回導帶的過程和它與空穴復合的過程具有相同的概率。試求這種復合-產(chǎn)生中心的能級位置，并說明它能否成為有效的復合中心？

答案：

【計算題】
摻施主濃度ND=10¹⁵cm^-3的n型硅，由于光的照射產(chǎn)生了非平衡載流子∆n=∆p=10¹⁴cm^-3。試計算這種情況下的準費米能級位置，并和原來的費米能級作比較。

答案：

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