問答題

【簡答題】簡述離子注入退火目的與方法。

答案： 工藝目的：消除晶格損傷，并且使注入的雜質轉入替位位置從而實現(xiàn)電激活。
①高溫熱退火
通常的退火溫度：...
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問答題

【簡答題】簡述離子注入效應。
答案： 溝道效應：當注入離子未與硅原子碰撞減速，而是穿透了晶格間隙時就發(fā)生了溝道效應。
控制溝道效應的方法：①傾斜硅片...
問答題

【簡答題】簡述離子注入工藝相對于熱擴散工藝的優(yōu)缺點。
答案： 優(yōu)點：①精確地控制摻雜濃度和摻雜深度；
②可以獲得任意的雜質濃度分布；
③雜質濃度均勻性、重復性好；...
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