問答題

【簡答題】簡述在先進的CMOS工藝中，離子注入的應(yīng)用。

答案： ①深埋層注入；
②倒摻雜阱注入；
③穿通阻擋層注入；
④閾值電壓調(diào)整注入；
⑤輕...
題目列表

你可能感興趣的試題

問答題

【簡答題】簡述離子注入退火目的與方法。
答案： 工藝目的：消除晶格損傷，并且使注入的雜質(zhì)轉(zhuǎn)入替位位置從而實現(xiàn)電激活。
①高溫熱退火
通常的退火溫度：...
問答題

【簡答題】簡述離子注入效應(yīng)。
答案： 溝道效應(yīng)：當注入離子未與硅原子碰撞減速，而是穿透了晶格間隙時就發(fā)生了溝道效應(yīng)。
控制溝道效應(yīng)的方法：①傾斜硅片...
微信掃碼免費搜題