問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述ULSI對(duì)刻蝕的要求。

答案： ①對(duì)不需要刻蝕的材料（主要是光刻膠和下層材料）的高選擇比；
②可接受產(chǎn)能的刻蝕速率；
③好的側(cè)壁剖面...
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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】刻蝕有哪些參數(shù)？
答案：

①刻蝕速率；
②刻蝕偏差；
③選擇比；
④均勻性；
⑤刻蝕剖面。
問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述法刻蝕的優(yōu)缺點(diǎn)（與濕法刻蝕比）。
答案： 優(yōu)點(diǎn)：①刻蝕剖面各向異性，非常好的側(cè)壁剖面控制；
②好的CD控制；
③最小的光刻膠脫落或粘附問(wèn)題；<...
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