填空題

熱氧化工藝的基本設(shè)備有三種（）、（）和（）。

答案： 臥式爐；立式爐；快速熱處理爐
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填空題

制備半導(dǎo)體級(jí)硅的過程：1、（）；2、（）；3、（）。
答案： 制備工業(yè)硅；生長硅單晶；提純
填空題

晶圓制備中的整型處理包括（）、（）和（）。
答案： 去掉兩端；徑向研磨；硅片定位邊和定位槽
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