首頁
題庫
網(wǎng)課
在線模考
桌面端
登錄
搜標(biāo)題
搜題干
搜選項
0
/ 200字
搜索
問答題
【簡答題】如何解決MOS器件中的寄生雙極晶體管效應(yīng)?
答案:
(1)增大基區(qū)寬度:由工藝決定;
(2)使襯底可靠接地或電源。
點擊查看答案
手機看題
你可能感興趣的試題
問答題
【簡答題】如何解決MOS器件的場區(qū)寄生MOSFET效應(yīng)?
答案:
在第二次光刻生成有源區(qū)時,進行場氧生長前進行場區(qū)離子注入,提高寄生MOSFET的閾值電壓,使其不易開啟;增加場氧生長厚度...
點擊查看答案
手機看題
問答題
【簡答題】消除“Latch-up”效應(yīng)的方法?
答案:
版圖設(shè)計時:為減小寄生電阻Rs和Rw,版圖設(shè)計時采用雙阱工藝、多增加電源和地接觸孔數(shù)目,加粗電源線和地線,對接觸進行合理...
點擊查看答案
手機看題
微信掃碼免費搜題