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問答題
【簡答題】試說明高壓氧化技術的原理（或依據(jù)）及主要作用，并說明高低壓氧化各自的控制機制和氧化層厚度的變化規(guī)律。
答案：
常數(shù)B隨壓力線性變化，則在一定條件下，通過增加氧化劑分壓來強迫氧原子以更快的速度穿越正在生長的氧化層，因而使線性和拋物線...
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問答題
【簡答題】什么是表面反應控制？什么是擴散控制？并說明什么情況下生長過程分別為這兩種控制，以及這兩種控制在生長速率上呈何種反應？
答案：
表面反應控制階段：SiO2生長的初始階段，SiO2的生長速率即氧化層生長的快...
問答題
【簡答題】根據(jù)氧化物的生長規(guī)律，試說明熱氧化生長過程中的兩個主要階段，并說明它們分別位于氧化生長過程中的哪一時段，各自的生長模型和規(guī)律以及反映生長速率的參數(shù)和影響該參數(shù)的主要因素是什么？
答案：
分為線性氧化階段和拋物線氧化階段，他們分別位于氧化硅生長的初始階段或氧化層足夠薄時和氧化一段時間后的氧化硅生長的第二階段...
