問答題

【簡答題】什么是表面反應(yīng)控制？什么是擴(kuò)散控制？并說明什么情況下生長過程分別為這兩種控制，以及這兩種控制在生長速率上呈何種反應(yīng)？

答案： 表面反應(yīng)控制階段：SiO2生長的初始階段，SiO2的生長速率即氧化層生長的快...
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問答題

【簡答題】根據(jù)氧化物的生長規(guī)律，試說明熱氧化生長過程中的兩個(gè)主要階段，并說明它們分別位于氧化生長過程中的哪一時(shí)段，各自的生長模型和規(guī)律以及反映生長速率的參數(shù)和影響該參數(shù)的主要因素是什么？
答案： 分為線性氧化階段和拋物線氧化階段，他們分別位于氧化硅生長的初始階段或氧化層足夠薄時(shí)和氧化一段時(shí)間后的氧化硅生長的第二階段...
問答題

【簡答題】試說明氧化生長速率的基本定義及其物理含義，并說明影響氧化生長速率的主要工藝參數(shù)，及他們對生長速率的主要影響。
答案： 氧化生長速率是用于描述氧化物在硅片上生長的快慢。當(dāng)氧化劑的量足夠時(shí)，SiO2生長的快慢最終由氧化劑...
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