集成電路技術(shù)綜合練習章節(jié)練習(2018.03.06)

來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：

異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管的發(fā)射極效率主要由禁帶寬度差決定，幾乎不受摻雜比的限制

參考答案：

P型雜質(zhì)增加、N型雜質(zhì)降低。

參考答案：在晶體中電離時能夠釋放電子而產(chǎn)生導(dǎo)電電子并形成正電中心的雜質(zhì)為施主雜質(zhì)；
在晶體中電離時能夠接受電子而產(chǎn)生導(dǎo)電...
參考答案：

系統(tǒng)知識，電路知識，工具知識，工藝知識

參考答案：

介質(zhì)襯底的背面應(yīng)該完全被低歐姆金屬覆蓋并接地，使行波的電場主要集中在微帶線下面的介質(zhì)中。

參考答案：

增強型NMOS和耗盡型NMOS。

參考答案：

利用等離子體轟擊被濺射物質(zhì)使其分子或原子逸出，淀積到基片表面形成薄膜

參考答案：

生長緩沖層、溝道區(qū)注入、離子注入、CVD工藝淀積多晶硅、多晶硅摻雜、光刻和刻蝕形成多晶硅柵的圖形。

參考答案：

雙極工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS工藝用的多
影響B(tài)iCMOS器件性能的主要部分是雙極部分。