集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2020.05.05)

來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：

源漏之間的距離、溝道寬度、開啟電壓、柵絕緣氧化層的厚度、柵絕緣層的介電常數(shù)、載流子的遷移率

參考答案：對晶體靶進(jìn)行離子注入時，當(dāng)離子注入的方向與靶晶體的某個晶向平行時，其運動軌跡將不再是無規(guī)則的，而是將沿溝道運動并且很少受...
參考答案：去掉TTL門的高電平的驅(qū)動級，oc門輸出端用導(dǎo)線連接起來，接到一個公共的上拉電阻上，實施線與，此時就不會出此案大電流灌入...
參考答案：

發(fā)射結(jié)的注入、基區(qū)中的輸運與復(fù)合和集電區(qū)的收集

參考答案：測試生成：是指產(chǎn)生驗證電路的一組測試碼又稱為測試矢量
測試驗證：指一個給定測試集合的有效性測度，通常是通過故障...
參考答案：Pdyn由充放電電容引起的動態(tài)功耗；Pdp直流通路電容引起的功耗；Pstat靜態(tài)功耗
參考答案：MOS管的閾值電壓VT與襯底的摻雜濃度Na密切相關(guān)，摻雜濃度越大，VT的值越大。
用離子注入的方法可以控制Na...
參考答案：①多層電極有用于微波晶體管、超高頻低噪聲管等器件的鋁基系統(tǒng)和用于高頻大功率管的金基系統(tǒng)兩種。
②大體可分為四層...
參考答案：

襯底材料制備；埋層的形成；N型外延層的形成；隔離區(qū)的形成；晶體管基區(qū)的形成；晶體管發(fā)射區(qū)和引線孔的形成；金屬化的形成。