集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2019.04.30)
來(lái)源:考試資料網(wǎng)1.問(wèn)答題集成電路中的無(wú)源器件有哪些?
參考答案:
互聯(lián)線(xiàn)、電阻、電容、電感、傳輸線(xiàn)等
2.問(wèn)答題在氧化層上形成所需要的圖形的步驟是什么?
參考答案:
甩膠、曝光、顯影、刻蝕、去膠。
參考答案:引起溝道區(qū)產(chǎn)生強(qiáng)表面反型的最小柵電壓,稱(chēng)為閾值電壓VT。往往用離子注入技術(shù)改變溝道區(qū)的摻雜濃度,從而改變閾值電壓。夾斷電...
參考答案:
某些工藝參數(shù)的梯度沿水平方向或者垂直方向是線(xiàn)性的
5.問(wèn)答題集成電路制造常用的半導(dǎo)體材料有哪些?
參考答案:
硅、砷化鎵、磷化銦
6.問(wèn)答題什么是負(fù)光刻膠?
參考答案:
負(fù)光刻膠:膠的曝光區(qū)在顯影中保留,未曝光區(qū)在顯影中除去,負(fù)膠多由長(zhǎng)鏈高分子有機(jī)物組成
7.問(wèn)答題什么是刻蝕?
參考答案:
刻蝕即光刻腐蝕,就是通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理,然后通過(guò)其他方式實(shí)現(xiàn)腐蝕以處理掉所需除去的部分。
8.問(wèn)答題光刻工藝分為哪些步驟?
參考答案:
1、底膜處理
2、涂膠
3、前烘
4、曝光
5、顯影
6、堅(jiān)膜
7、刻蝕去膠
9.問(wèn)答題什么情況下器件的柵極通常要考慮采用蘑菇型即T型柵極?
參考答案:
柵長(zhǎng)小于0.3um
10.問(wèn)答題氧化膜厚度的測(cè)定方法?
參考答案:
雙光干涉法、比色法
