半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2019.05.13)
來源:考試資料網(wǎng)1.問答題說明影響氧化速率的因素。
參考答案:直流放電中,電荷在表面的積聚會使電場減小,直到等離子體消失。在射頻電場中,因?yàn)殡妶鲋芷谛缘馗淖兎较?,帶電粒子不容易到達(dá)電...
參考答案:熱氧化層中可能存在各種雜質(zhì),某些最常見的雜質(zhì)是與水有關(guān)的化合物,其結(jié)構(gòu)如圖所示。如果氧化層在生長中有水存在,一種可能發(fā)生...
參考答案:APCVD——一些最早的CVD工藝是在大氣壓下進(jìn)行的,由于反應(yīng)速率快,CVD系統(tǒng)簡單,適于較厚的...
參考答案:根據(jù)曝光方式不同光學(xué)光刻機(jī)主要分為三種:接觸式,接近式,投影式。接觸式:接觸式光刻機(jī)是最簡單的光刻機(jī),曝光時(shí),掩模壓在涂...
參考答案:干法刻蝕是采用等離子體進(jìn)行刻蝕的技術(shù),根據(jù)原理分為濺射與離子銑(物理)、等離子刻蝕(化學(xué))、反應(yīng)離子刻蝕(物理+化學(xué))。...
參考答案:物理氣相淀積:蒸發(fā)Evaporation、濺射Sputtering熱蒸發(fā)法:在真空條件下,加熱蒸發(fā)源,使原子或分子從蒸發(fā)...
參考答案:RTP工藝是一類單片熱處理工藝,其目的是通過縮短熱處理時(shí)間和溫度或只縮短熱處理時(shí)間來獲得最小的工藝熱預(yù)算(Thermal...
10.問答題簡述BOE(或BHF)刻蝕SiO2的原理。
