半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.03.11)
來(lái)源：考試資料網(wǎng)參考答案：大于15%;減小
3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述CMOS反相器功耗的組成。
參考答案：由動(dòng)態(tài)功耗PD和靜態(tài)功耗Ps組成；
①動(dòng)態(tài)功耗：開(kāi)關(guān)瞬態(tài)電流造成的...
①動(dòng)態(tài)功耗：開(kāi)關(guān)瞬態(tài)電流造成的...
4.問(wèn)答題試證明，一般情況下，本征半導(dǎo)體的電阻率不是最高電阻率。
6.問(wèn)答題解釋耿氏振蕩現(xiàn)象，振蕩頻率取決于哪些參數(shù)？
參考答案：
耿氏振蕩來(lái)源于半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)微分電導(dǎo)，振蕩頻率決定于外加電壓和器件的長(zhǎng)度。
參考答案：當(dāng)熱平衡狀態(tài)受到外界影響，遭到破壞，使半導(dǎo)體處于非平衡狀態(tài)，不再存在統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)，因?yàn)橘M(fèi)米能級(jí)和統(tǒng)計(jì)分布函數(shù)都是指熱平...
10.問(wèn)答題求能帶寬度
