半導體物理章節(jié)練習(2020.05.22)

判斷題
PN結中的擴散電流是載流子在電場作用下形成的。
答案：錯誤
問答題
說明費米能級的物理意義；試畫出N型半導體的費米能級隨溫度的變化曲線。
答案：費米能級E_F是反映電子在各個能級中分布情況的參數(shù)。能量為E_F的量...
問答題
n型硅中，摻雜濃度ND=1016cm-3，光注入的非平衡載流子濃度∆n=∆p=1014cm-3。計算無光照和有光照的電導率。
答案：
問答題
（1）試證明在室溫下，當半導體的電子濃度時，其電導率為最小值，求在上述條件下的空穴濃度。（2）當ni=2.5×1013/cm3，μp=1900cm2/v˙s，μn=3800cm2/v˙s，求其本征電導率和電波電導率。（3）當n0和p0為何值時，電導率等于本征電導率。
答案：
問答題
畫出外加正向和負向偏壓時pn結能帶圖（需標識出費米能級的位置）。
答案：
問答題
非輻射復合主要有哪幾種？
答案：
非輻射復合：
表面復合；
深能級復合；
俄歇復合；
問答題
在室溫下，高純鍺的電子遷移率μn=3900cm2/v˙s，設電子的有效質量為mn=3×10-29g，求：（1）熱運動速度平均值（2）平均自由時間（3）平均自由路程（4）在外加電場為10/Vcm時的漂移速度
答案：
判斷題
二極管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，還可以描述二極管的反向擊穿特性。
答案：錯誤
問答題
簡述各類MOS單級放大電路的特點。
答案：
問答題
簡述有效質量與能帶結構的關系；
答案：
能帶越窄，有效質量越大，能帶越寬，有效質量越小。

感谢您访问我们的网站，您可能还对以下资源感兴趣：

国产一级特黄a大片亚洲浮力影院久久久久久亚洲第一二三区日韩国产国产精品第不卡国产视频第一页

首頁

題庫

網(wǎng)課

在線?？?/h3>

桌面端

半導體物理章節(jié)練習(2020.05.22)

PN結中的擴散電流是載流子在電場作用下形成的。

說明費米能級的物理意義；試畫出N型半導體的費米能級隨溫度的變化曲線。

n型硅中，摻雜濃度ND=1016cm-3，光注入的非平衡載流子濃度∆n=∆p=1014cm-3。計算無光照和有光照的電導率。

畫出外加正向和負向偏壓時pn結能帶圖（需標識出費米能級的位置）。

非輻射復合主要有哪幾種？

在室溫下，高純鍺的電子遷移率μn=3900cm2/v˙s，設電子的有效質量為mn=3×10-29g，求：（1）熱運動速度平均值（2）平均自由時間（3）平均自由路程（4）在外加電場為10/Vcm時的漂移速度

二極管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，還可以描述二極管的反向擊穿特性。

簡述各類MOS單級放大電路的特點。

簡述有效質量與能帶結構的關系；

半導體物理章節(jié)練習(2020.05.22)

PN結中的擴散電流是載流子在電場作用下形成的。

說明費米能級的物理意義；試畫出N型半導體的費米能級隨溫度的變化曲線。

n型硅中，摻雜濃度ND=1016cm-3，光注入的非平衡載流子濃度∆n=∆p=1014cm-3。計算無光照和有光照的電導率。

畫出外加正向和負向偏壓時pn結能帶圖（需標識出費米能級的位置）。

非輻射復合主要有哪幾種？

在室溫下，高純鍺的電子遷移率μn=3900cm2/v˙s，設電子的有效質量為mn=3×10-29g，求：（1）熱運動速度平均值 （2）平均自由時間（3）平均自由路程 （4）在外加電場為10/Vcm時的漂移速度

二極管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，還可以描述二極管的反向擊穿特性。

簡述各類MOS單級放大電路的特點。

簡述有效質量與能帶結構的關系；

PN結中的擴散電流是載流子在電場作用下形成的。

說明費米能級的物理意義；試畫出N型半導體的費米能級隨溫度的變化曲線。

n型硅中，摻雜濃度ND=1016cm-3，光注入的非平衡載流子濃度∆n=∆p=1014cm-3。計算無光照和有光照的電導率。

在室溫下，高純鍺的電子遷移率μn=3900cm2/v˙s，設電子的有效質量為mn=3×10-29g，求：（1）熱運動速度平均值（2）平均自由時間（3）平均自由路程（4）在外加電場為10/Vcm時的漂移速度

二極管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，還可以描述二極管的反向擊穿特性。

簡述各類MOS單級放大電路的特點。

簡述有效質量與能帶結構的關系；