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1.問答題間接復(fù)合效應(yīng)與陷阱效應(yīng)有何異同？

2.問答題畫出問題（2）中雜質(zhì)半導(dǎo)體的能帶圖，并確定費(fèi)米能級(jí)相對(duì)于E_C的位置

3 P型半導(dǎo)體中的多子是（）。

4 二極管電路如下圖所示，判斷圖中二極管是導(dǎo)通還是截止后，可確定電路的輸出電壓V_o為（）。（設(shè)二極管的導(dǎo)通壓降0）

5.填空題在熱力學(xué)溫度零度時(shí)，能量比F_F小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為（），當(dāng)溫度大于熱力學(xué)溫度零度時(shí)，能量比E_F小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為（）。

6.問答題把一種復(fù)合中心雜質(zhì)摻入本征硅內(nèi)，如果它的能級(jí)位置在禁帶中央，試證明小注入時(shí)的壽命τ=τn+τp。

7.問答題舉例說明雜質(zhì)補(bǔ)償作用。

8.問答題若費(fèi)米能級(jí)E_F=5eV，利用費(fèi)米函數(shù)計(jì)算在什么溫度下電子占據(jù)E=5.5eV能級(jí)的幾率為1%？計(jì)算在該溫度下電子分布幾率從0.1～0.9所對(duì)應(yīng)的能量區(qū)間。

9.問答題一塊電阻率為3Ω∙cm的n型硅樣品，空穴壽命τ_p=5us，在其平面形的表面處有穩(wěn)定的空穴注入，過剩濃度（∆p）=10¹³cm^-3。計(jì)算從這個(gè)表面擴(kuò)散進(jìn)入半導(dǎo)體內(nèi)部的空穴電流密度，以及在離表面多遠(yuǎn)處過?？昭舛鹊扔?0¹²cm^-3？

10.問答題集成運(yùn)放的版圖設(shè)計(jì)過程與數(shù)字集成電路一樣，分為幾個(gè)步驟？

半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.25)