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1.問答題設n型外延層雜質均勻分布，雜質濃度為4.6×10¹⁵cm^-3，計算300K時E_F的位置及電子和空穴濃度。

2 如圖所示電路中電源V=5V不變。當溫度為20℃時測得二極管的電壓UD=0.7V。當溫度上生到為40℃時，則UD的大小將是（）

3.問答題說明本征鍺和硅中載流子遷移率隨溫度增加如何變化？

4 有電流放大作用的電路是（）

5.問答題簡述采用有源負載的放大器的優(yōu)點。

6.問答題試分別計算本征Si在77K、300K和500K下的載流子濃度。

7.問答題請解釋什么是歐姆接觸？如何實現(xiàn)？

8 在熱激發(fā)條件下，少數(shù)價電子獲得足夠激發(fā)能，進入導帶，產生（）。

9.問答題半導體的簡并化判據(jù)

10.填空題對于同一種半導體材料其電子濃度和空穴濃度的乘積與（）有關，而對于不同的半導體材料其濃度積在一定的溫度下將取決于（）的大小。

半導體物理章節(jié)練習(2020.04.13)