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1.問答題設(shè)n型外延層雜質(zhì)均勻分布，雜質(zhì)濃度為4.6×10¹⁵cm^-3，計(jì)算300K時(shí)E_F的位置及電子和空穴濃度。

2 如圖所示電路中電源V=5V不變。當(dāng)溫度為20℃時(shí)測(cè)得二極管的電壓UD=0.7V。當(dāng)溫度上生到為40℃時(shí)，則UD的大小將是（）

3.問答題說明本征鍺和硅中載流子遷移率隨溫度增加如何變化？

4 有電流放大作用的電路是（）

5.問答題簡(jiǎn)述采用有源負(fù)載的放大器的優(yōu)點(diǎn)。

6.問答題試分別計(jì)算本征Si在77K、300K和500K下的載流子濃度。

7.問答題請(qǐng)解釋什么是歐姆接觸？如何實(shí)現(xiàn)？

8 在熱激發(fā)條件下，少數(shù)價(jià)電子獲得足夠激發(fā)能，進(jìn)入導(dǎo)帶，產(chǎn)生（）。

9.問答題半導(dǎo)體的簡(jiǎn)并化判據(jù)

10.填空題對(duì)于同一種半導(dǎo)體材料其電子濃度和空穴濃度的乘積與（）有關(guān)，而對(duì)于不同的半導(dǎo)體材料其濃度積在一定的溫度下將取決于（）的大小。

半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.04.13)