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1 當(dāng)一種n型半導(dǎo)體的少子壽命由直接輻射復(fù)合決定時(shí)，其小注入下的少子壽命正比于（）。

2.問答題 已知鍺原子的濃度為4.4×10²²/cm³。
1）溫度為300K時(shí)，本征鍺的電阻率為47Ω·cm，μ_n=3900cm²/V·s，μ_p=1900cm²/V·s。試求本征載流子濃度。
2）若摻入銻雜質(zhì)，使每個(gè)鍺原子中有一個(gè)雜質(zhì)原子，計(jì)算300K時(shí)電子濃度和空穴濃度。
3）若假設(shè)雜質(zhì)全部電離，試求該摻雜鍺樣品的電阻率。
4）若流過該樣品的電流密度為100mA/cm²，求所加的電場強(qiáng)度。

3.問答題簡述擴(kuò)散電阻最小條寬的確定原則。

4.問答題試定性分析Si的電阻率與溫度的變化關(guān)系。

5.問答題簡述采用有源負(fù)載的放大器的優(yōu)點(diǎn)。

6 輸入電阻最小的電路是（）

7 用萬用表判別放大電路中處于正常工作的某個(gè)晶體管的類型（指NPN型還是PNP型）與三個(gè)電極時(shí)以測出（）最為方便。

8.問答題說明雜質(zhì)能級(jí)以及電離能的物理意義。為什么受主、施主能級(jí)分別位于價(jià)帶之上或?qū)е?，而且電離能的數(shù)值較?。?/a>

9.判斷題N型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)在本征費(fèi)米能之上。

10.問答題試用一維非均勻摻雜（摻雜濃度隨x的增加而下降）的非簡并p型半導(dǎo)體模型導(dǎo)出愛因斯坦關(guān)系：

半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.18)