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1.問答題施主濃度為10¹³cm³的n型硅，計(jì)算400K時(shí)本征載流子濃度、多子濃度、少子濃度和費(fèi)米能級的位置。

2.問答題一塊電阻率為3Ω∙cm的n型硅樣品，空穴壽命τ_p=5us，在其平面形的表面處有穩(wěn)定的空穴注入，過剩濃度（∆p）=10¹³cm^-3。計(jì)算從這個(gè)表面擴(kuò)散進(jìn)入半導(dǎo)體內(nèi)部的空穴電流密度，以及在離表面多遠(yuǎn)處過?？昭舛鹊扔?0¹²cm^-3？

3.問答題當(dāng)E-EF為1.5k₀T，4k₀T，10k₀T時(shí)，分別用費(fèi)米分布函數(shù)和玻耳茲曼分布函數(shù)計(jì)算電子占據(jù)各該能級的概率。

4.問答題簡述低頻共基極電流增益的公式總結(jié)。

5.問答題對于晶格常數(shù)為2.5×10^-20m 的一維晶體，當(dāng)外加10²/Vm和10⁷/Vm電場時(shí)，分別計(jì)算電子自能帶底運(yùn)動到能帶頂所需的時(shí)間。

6.問答題0.12kg的Si單晶摻有3.0×10^-9kg的Sb，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試求出此材料的電導(dǎo)率。（Si單晶的密度為2.33g/cm³，Sb的原子量為121.8）

7.名詞解釋過剩載流子

8.問答題 現(xiàn)有三個(gè)半導(dǎo)體硅樣品，已知室溫下（300K）它們的空穴濃度分別為p₀₁=2.25×10¹⁵/cm³，p₀₂=1.5×10¹⁰/cm³，p₀₃=2.25×10⁴/cm³
（1）分別計(jì)算這三個(gè)樣品的電子濃度
（2）判別這三個(gè)樣品的導(dǎo)電類型
（3）計(jì)算這三個(gè)樣品的費(fèi)米能級的位置

9.填空題半導(dǎo)體載流子在輸運(yùn)過程中，會受到各種散射機(jī)構(gòu)的散射，主要散射機(jī)構(gòu)有（）、（）、中性雜質(zhì)散射、位錯(cuò)散射、載流子間的散射和等價(jià)能谷間散射。

10 當(dāng)施主能級ED與費(fèi)米能級EF相等時(shí)，電離施主的濃度為施主濃度的（）倍。

半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.18)