已知鍺原子的濃度為4.4×1022/cm3。 1）溫度為300K時(shí)，本征鍺的電阻率為47Ω·cm，μn=3900cm2/V·s，μp=1900cm2/V·s。試求本征載流子濃度。 2）若摻入銻雜質(zhì)，使每個(gè)鍺原子中有一個(gè)雜質(zhì)原子，計(jì)算300K時(shí)電子濃度和空穴濃度。 3）若假設(shè)雜質(zhì)全部電離，試求該摻雜鍺樣品的電阻率。 4）若流過該樣品的電流密度為100mA/cm2，求所加的電場(chǎng)強(qiáng)度。
摻施主濃度ND=1015cm-3的n型硅，由于光的照射產(chǎn)生了非平衡載流子∆n=∆p=1014cm-3。試計(jì)算這種情況下的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)位置，并和原來的費(fèi)米能級(jí)作比較。
