半導(dǎo)體集成電路章節(jié)練習(xí)(2020.04.03)
來(lái)源：考試資料網(wǎng)1.問(wèn)答題YE是利用何種方法找出缺陷(defect)?
參考答案：缺陷掃描機(jī) (defect inspection tool)以圖像比對(duì)的方式來(lái)找出defect.并產(chǎn)出defect re...
2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述LSTTL電路的版圖設(shè)計(jì)步驟
參考答案：劃分隔離區(qū)、基本設(shè)計(jì)條件的確定、各單元的圖形設(shè)計(jì)、布局、布線
3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述擴(kuò)散電阻最小條寬的確定原則
參考答案：①設(shè)計(jì)規(guī)則決定的最小擴(kuò)散條寬Wmin
②工藝水平和電阻精度要求所決定的最小電阻條寬Wr，min
③流...
②工藝水平和電阻精度要求所決定的最小電阻條寬Wr，min
③流...
4.問(wèn)答題雙極性集成電路中最常用的電阻器和MOS集成電路中常用的電阻都有哪些？
參考答案：雙極性集成電路中最常用的電阻器是基區(qū)擴(kuò)散電阻 MOS集成電路中常用的電阻有多晶硅電阻和用MOS管形成的電阻。
參考答案：氧化，即在硅表面形成一氧化層的能力，是硅集成電路制造技術(shù)的基礎(chǔ)及關(guān)鍵因素之一。
室溫下也會(huì)生長(zhǎng)出自然氧化層，但...
室溫下也會(huì)生長(zhǎng)出自然氧化層，但...
6.問(wèn)答題為什么基區(qū)薄層電阻需要修正。
參考答案：基區(qū)薄層電阻擴(kuò)散完成后，還有多道高溫處理工序，所以雜質(zhì)會(huì)進(jìn)一步往里邊推，同時(shí)表面的硅會(huì)進(jìn)一步氧化。形成管子后，實(shí)際電阻比...
參考答案：是刻蝕掉部分襯底形成溝槽（槽刻蝕），再在其中回填上介電質(zhì)（回填）作為相鄰器件之間的絕緣體的一種器件隔離方法。
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10.問(wèn)答題試說(shuō)明按結(jié)構(gòu)分類(lèi)的二氧化硅的基本類(lèi)型且各舉一例，并說(shuō)明各種類(lèi)型的主要結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。
