半導體集成電路章節(jié)練習(2020.01.06)
來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：本征硅的擴散系數(shù)：硅中空位主要是中性空位；
低摻雜（本征）下的擴散系數(shù)：雜質(zhì)濃度與本征載流子濃度幾乎相等（n=... 參考答案：集成電路設計包括邏輯設計、電路設計、版圖設計和工藝設計。
通常有兩種設計途徑：正想設計和逆向設計。
... 參考答案：熱氧化過程中，氧化層的增厚包括三個過程：氧化劑從氣體內(nèi)部以擴散形式輸運到氣體—氧化層界面：氧化劑穿過滯流層到... 參考答案：優(yōu)點：元件間的匹配及溫度跟蹤好
缺點：
①精度低，絕對誤差大；
③可制作范圍有限，不能太大... 參考答案：芯片制造廠可分成六個獨立的生產(chǎn)區(qū)：擴散、光刻、刻蝕、薄膜生長、離子注入和拋光。
擴散區(qū)：通常是進行高溫工藝和薄... 參考答案：指每單位體積內(nèi)可以接受的0.5um顆粒的顆粒數(shù)不超過1個 參考答案：①有比反相器在輸出低電平時，驅(qū)動管和負載管同時導通，其輸出低電平由驅(qū)動管的導通電阻RON和負載管的...
