半導(dǎo)體集成電路章節(jié)練習(xí)(2020.04.04)

來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：在硅襯底上形成的、摻雜類型或摻雜濃度與硅襯底不同的局部摻雜區(qū)域稱為阱（well），包括：n阱、p阱和雙阱（dual/tw...
參考答案：
解之得 2N＞250    所以&e...
參考答案：①輸出電壓或輸出電流幅度大，能向負載輸出規(guī)定數(shù)量的功率，而且靜態(tài)功耗??；
②輸入阻抗高、輸出阻抗低，在前級放大...
參考答案：當(dāng)前1~3廠為200mm(8英寸)的wafer, 工藝水平已達0.13um工藝。未來北京廠工藝wafer將使用300mm...
7.名詞解釋電壓傳輸特性
參考答案：指電路的輸出電壓VO隨輸入電壓Vi變化而變化的性質(zhì)或關(guān)系（可用曲線表示，與晶體管電壓傳輸特性相似）。
8.名詞解釋靜態(tài)功耗
參考答案：指某穩(wěn)定狀態(tài)下消耗的功率，是電源電壓與電源電流之乘積。電路有兩個穩(wěn)態(tài)，則有導(dǎo)通功耗和截止功耗，電路靜態(tài)功耗取兩者平均值，...