半導(dǎo)體集成電路章節(jié)練習(xí)(2020.06.09)
來(lái)源:考試資料網(wǎng)2.問(wèn)答題按電路功能或信號(hào)類型分,半導(dǎo)體集成電路分為哪幾類?
參考答案:數(shù)字集成電路,模擬集成電路,數(shù)?;旌霞呻娐?。
3.問(wèn)答題試比較幾種常用的DAC的優(yōu)缺點(diǎn)。
參考答案:(1)電壓定標(biāo)型
優(yōu)點(diǎn):通常具有良好的精度。
缺點(diǎn):對(duì)于位數(shù)多的DAC,要求...
優(yōu)點(diǎn):通常具有良好的精度。
缺點(diǎn):對(duì)于位數(shù)多的DAC,要求...
4.問(wèn)答題一般硅片的制造(wafer process)過(guò)程包含哪些主要部分?
參考答案:①前段(frontend)-元器件(device)的制造過(guò)程。
②后段(backend)-金屬導(dǎo)線的連接及護(hù)層...
②后段(backend)-金屬導(dǎo)線的連接及護(hù)層...
5.問(wèn)答題MOS器件的主要特性是什幺?
參考答案:它主要是通過(guò)柵極電壓(Vg)來(lái)控制源,漏極(S/D)之間電流,實(shí)現(xiàn)其開(kāi)關(guān)特性。
參考答案:
B:P型雜質(zhì),OED;
P:N型雜質(zhì),深結(jié),OED;
AS:N型雜質(zhì),離子注入精確控制結(jié)深。
7.填空題集成電路的內(nèi)連線有:()
參考答案:鋁連線、擴(kuò)散區(qū)連線、多晶硅連線、銅連線、交叉連線
參考答案:網(wǎng)絡(luò)形成者:是網(wǎng)絡(luò)的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)發(fā)生變化;結(jié)構(gòu)上,改變氧化層中有氧橋和無(wú)氧橋的比例;性質(zhì)上,改變其密度硬度流動(dòng)性熔點(diǎn)及擴(kuò)散...
9.問(wèn)答題求VM=1.4V 時(shí)的WN/WP。
10.問(wèn)答題簡(jiǎn)述集成雙極晶體管的有源寄生效應(yīng)在其各工作區(qū)能否忽略?
參考答案:PNP管為四層三結(jié)晶體管的寄生晶體管,當(dāng)NPN晶體管工作在正向工作區(qū)時(shí),即NPN的發(fā)射極正偏,集電極反偏,那么寄生晶體管...
