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1.填空題（）雜質(zhì)可顯著改變載流子濃度；（）雜質(zhì)可顯著改變非平衡載流子的壽命，是有效的復(fù)合中心。

2.名詞解釋費(fèi)米能級

3.問答題求出樣品中的施主濃度Nd(設(shè)gd=2)

4.問答題求室溫下?lián)戒R的n型硅，使E_F=（E_C+E_D）/2時銻的濃度。已知銻的電離能為0.039eV。

5.問答題電子在波矢k狀態(tài)時的速度

6 兩極放大電路，考慮到級間相互影響后電壓放大系數(shù)，則兩級總的電壓放大倍數(shù)用分貝表示則為（）

7.問答題假設(shè)Si中空穴濃度是線性分布，在4µm內(nèi)的濃度差為2×10¹⁶cm^-3，試計算空穴的擴(kuò)散電流密度。

8 同一種施主雜質(zhì)摻入甲、乙兩種半導(dǎo)體，如果甲的相對介電常數(shù)εr是乙的3/4，mn*/m0值是乙的2倍，那么用類氫模型計算結(jié)果是（）

9.問答題電離雜質(zhì)和中性雜質(zhì)的濃度各是多少？

10 對于一定的N型半導(dǎo)體材料，在溫度一定時，減小摻雜濃度，費(fèi)米能級會（）。

半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.11)