半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.19)

電路如圖且各元件數(shù)值已知：

敘述R_b1，R_E，C_E在電路中的作用；
若環(huán)境溫度升高，敘述該電路靜態(tài)工作點(diǎn)Q穩(wěn)定的過(guò)程；
要使靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定，寫(xiě)出I₁應(yīng)滿(mǎn)足的條件；
求出I_BQ的表達(dá)式；
寫(xiě)出該放大器的電壓放大系數(shù)表達(dá)式；
寫(xiě)出輸入電阻R_i的表達(dá)式；
寫(xiě)出輸出電阻R₀的表達(dá)式。

現(xiàn)有三個(gè)半導(dǎo)體硅樣品，已知室溫下（300K）它們的空穴濃度分別為p₀₁=2.25×10¹⁵/cm³，p₀₂=1.5×10¹⁰/cm³，p₀₃=2.25×10⁴/cm³
（1）分別計(jì)算這三個(gè)樣品的電子濃度
（2）判別這三個(gè)樣品的導(dǎo)電類(lèi)型 
（3）計(jì)算這三個(gè)樣品的費(fèi)米能級(jí)的位置