半導體物理章節(jié)練習(2020.03.11)

用適當頻率的方脈沖照射到某n型半導體樣品，被樣品內部均勻吸收并產(chǎn)生非平衡載流子，其產(chǎn)生率為g_p，非平衡載流子的壽命為τ_p，光脈沖寬度Δt=3τ_p。
1）試寫出在該脈沖光開始照射到結束以后，非平衡空穴所滿足的方程式。
2）設t=0的瞬間，脈沖光開始照射，試求脈沖光開始照射到結束后的整個時間內，非平衡空穴隨時間變化的規(guī)律。
3）在用直流光電導衰減法測量非平衡載流子壽命的實驗中，在示波器上觀察的是哪段曲線？所謂的壽命是指曲線上的哪段時間？由此如何定義非平衡載流子的壽命？

溫度升高時，晶體管的電流放大系數(shù)β（），反向飽和電流I_CBO（），正向結電壓U_BE（）。

在室溫下，高純鍺的電子遷移率μ_n=3900cm²/v˙s，設電子的有效質量為m_n=3×10^-29g，求：
（1）熱運動速度平均值 
（2）平均自由時間
（3）平均自由路程 
（4）在外加電場為10/Vcm時的漂移速度