半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.03.11)

用適當(dāng)頻率的方脈沖照射到某n型半導(dǎo)體樣品，被樣品內(nèi)部均勻吸收并產(chǎn)生非平衡載流子，其產(chǎn)生率為g_p，非平衡載流子的壽命為τ_p，光脈沖寬度Δt=3τ_p。
1）試寫(xiě)出在該脈沖光開(kāi)始照射到結(jié)束以后，非平衡空穴所滿足的方程式。
2）設(shè)t=0的瞬間，脈沖光開(kāi)始照射，試求脈沖光開(kāi)始照射到結(jié)束后的整個(gè)時(shí)間內(nèi)，非平衡空穴隨時(shí)間變化的規(guī)律。
3）在用直流光電導(dǎo)衰減法測(cè)量非平衡載流子壽命的實(shí)驗(yàn)中，在示波器上觀察的是哪段曲線？所謂的壽命是指曲線上的哪段時(shí)間？由此如何定義非平衡載流子的壽命？

溫度升高時(shí)，晶體管的電流放大系數(shù)β（），反向飽和電流I_CBO（），正向結(jié)電壓U_BE（）。

在室溫下，高純鍺的電子遷移率μ_n=3900cm²/v˙s，設(shè)電子的有效質(zhì)量為m_n=3×10^-29g，求：
（1）熱運(yùn)動(dòng)速度平均值 
（2）平均自由時(shí)間
（3）平均自由路程 
（4）在外加電場(chǎng)為10/Vcm時(shí)的漂移速度